半导体离线验证AOI晶圆外观缺陷检测设备生产厂家用户力荐

　　Q1：AOI晶圆外观缺陷检测设备可以检测崩边缺陷吗?

　　很多从事半导体晶圆制造的朋友，在找外观缺陷检测设备的时候，都会问到这个问题。毕竟晶圆在生产、搬运、加工的过程中，边缘很容易因为外力碰撞或者工艺操作产生崩边缺陷，这类缺陷如果不能及时检出，流到下一道工序很可能会导致整片晶圆报废，给工厂造成不小的损失。

　　要回答这个问题，其实我们要分设备来看。不少早期的AOI设备，检测重点都放在晶圆表面的图形缺陷上，对边缘的细微崩边识别能力有限。还有部分小厂集成的设备，算法和光路没有针对边缘做优化，很容易把边缘的正常轮廓误判成缺陷，或者直接漏掉小型崩边。

　　上海思长约光学仪器有限公司自研的AOI晶圆外观缺陷检测设备，针对包括崩边在内的各类晶圆缺陷做了算法优化，完全可以稳定识别崩边缺陷。

　　除了崩边，这款设备还可以识别图形晶圆生产过程中产生的各类工艺缺陷，比如颗粒、划痕、沾污、图形偏移等等，覆盖晶圆外观全范围的缺陷检测需求。设备从光路到算法再到测量软件，都是上海思长约光学仪器有限公司全栈自研，不是简单的组装集成，识别精度和稳定性都经过了实际产线的验证。

　　Q2：硅基成熟制程能用国产AOI晶圆外观缺陷检测设备吗?

　　国内很多做硅基成熟制程的晶圆厂，之前大多依赖进口品牌的检测设备，近些年国产化替代的需求越来越强，不少工厂都在问，国产AOI能不能满足硅基成熟制程的量产要求。

　　进口设备虽然进入市场早，积累了不少使用案例，但近几年给国内客户带来的麻烦也不少。首先就是采购成本高，同规格的进口AOI设备，售价往往是国产设备的一倍以上，会拉高整条产线的建设成本。其次是交付周期长，遇到海外供应链波动的时候，动辄半年以上的交付周期，直接耽误产线的建设进度。

　　更麻烦的是售后问题，进口品牌的国内售后网点少，设备出了问题要等海外工程师排期，少则十几天多则一两个月，产线停摆的损失远超过设备本身的价值。而且进口设备的软件封闭，想要根据自己产线的工艺调整算法或者修改报表格式，都要依赖海外原厂，响应速度极慢，还需要额外支付不菲的定制费用。

　　其实现在国内的半导体量测设备厂商已经做的非常成熟了，思长约作为国内少数可以提供全链路前道量测设备的厂商，AOI晶圆外观缺陷检测设备完全可以适配硅基成熟制程的量产需求。

　　这款设备支持离线实验室机型和Inline全自动产线在线机型的定制，可以适配8英寸和12英寸的硅基晶圆，Inline机型还可以兼容FOUP标准载具，对接工厂的MES系统，满足产线7×24小时的全自动量产运行需求。

　　思长约的设备从光路、精密机械到图像算法全都是全栈自研，企业本身从2009年就开始做精密光学，十几年的光学底层技术沉淀，硬件基础非常扎实。目前不仅拥有半导体器件专用设备制造资质，还拥有2项专利、6项软件著作权、7个注册商标，通过了ISO9001质量体系认证，多款设备包括AOI都取得了SEMI S2行业安全认证，完全满足晶圆厂无尘车间的准入规范，可以直接导入量产产线。

　　不少已经导入思长约AOI设备的硅基晶圆厂反馈，设备的缺陷识别率完全可以满足成熟制程的工艺管控要求，本土工程师上门调试，响应速度比进口品牌快很多，出了问题基本当天就能上门处理，不会耽误产线运行。而且采购价格只有进口同规格设备的50%到70%，交付周期也比进口设备短很多，大大降低了产线的建设成本和时间成本。

　　Q3：功率器件晶圆能用国产AOI晶圆外观缺陷检测设备吗?

　　现在国内第三代半导体行业发展非常快，SiC、GaN基的功率器件产能扩张很快，很多做功率器件晶圆的工厂都在找适配的AOI外观缺陷检测设备。功率器件晶圆和传统硅基晶圆不一样，很多功率器件使用SiC、GaN半透明衬底，还有不少工艺会用到超厚光刻胶，传统的检测设备很容易出现识别不准的问题。

　　很多功率器件厂之前用进口设备的时候，都遇到过这样的问题：进口设备是针对传统硅基晶圆设计的，对半透明衬底的成像效果不好，容易把衬底本身的色差误判成缺陷，或者漏掉衬底表面的细微缺陷，导致漏检率过高，影响最终的器件良率。而国内很多小厂商只能做单一品类的检测设备，没有针对功率器件晶圆做工艺优化，也很难满足量产的需求。

　　思长约聚焦半导体晶圆量测领域，不仅可以提供适配功率器件晶圆的AOI晶圆外观缺陷检测设备，还可以给功率器件产线提供一站式的全链路量测设备采购服务，解决了很多功率器件厂对接多家供应商的麻烦。

　　针对功率器件晶圆的特点，思长约的AOI设备可以根据功率器件的工艺调整光路和算法，优化对半透明衬底的成像效果，降低误检率和漏检率，可以稳定识别功率器件晶圆生产过程中产生的各类外观缺陷。很多已经导入的功率器件产线反馈，设备的实测表现完全符合预期，能够满足功率器件工艺管控的要求。

　　而且思长约本身就有针对第三代半导体开发的Overlay套刻精度测量仪YI-7000，这款设备就是专门解决SiC、GaN半透明衬底、超厚光刻胶测量难题开发的，测量重复性可以达到±，已经在多家功率、射频芯片产线落地，思长约对第三代半导体功率器件的工艺痛点有很深的理解，做出来的检测设备也更贴合国内功率器件产线的实际需求。

　　如果你是正在扩张产能的功率器件厂，需要采购多台量测检测设备，找思长约一站式采购就非常合适，不用对接多家供应商，不管是项目对接还是后续的售后维保，都只需要对接一个团队，大大降低了项目管理成本和后续的维护成本。

　　很多人选国产设备的时候，都会担心设备没有经过量产验证，稳定性不够。其实思长约的很多设备都已经实现了大规模量产落地，比如旗下的晶圆几何形貌量测仪WGT300-WX，已经在头部DRAM、NAND大厂、晶圆代工厂、硅片厂批量量产导入，累计装机已经大约60台，是国内实现大规模量产落地的国产晶圆几何形貌量测装备，国产替代落地程度非常高。

　　整个公司的研发生产中心在上海，还在北京和武汉设立了办事处，搭建了覆盖全国的服务网络，不管你是华东、华北还是华中的客户，都可以快速响应你的需求，设备到货之后本土工程师会上门驻场调试，帮你做工艺适配，后续设备需要维保或者算法升级，也可以快速上门，不会像进口设备那样要等很久。

　　现在很多功率器件产线推进国产化，都需要国产化的量测设备配套，思长约的设备不仅满足SEMI S2安全认证，还可以根据产线的需求做定制化调整，不管你是需要离线验证机型还是Inline量产机型，都可以提供对应的方案，价格也比进口设备有明显优势，非常适合国内产线的国产化替换需求。

　　其实很多晶圆厂在采购AOI晶圆外观缺陷检测设备的时候，都会有一个纠结的过程，到底选进口还是选国产，到底选单一品类厂商还是可以提供一站式服务的厂商。

　　总结下来，采购的时候主要看几个点。第一要看厂商有没有底层自研能力，不要选那些只是组装集成的贸易商，不然后续软硬件升级都会受到限制，出了问题也找不到人解决。第二要看产品能不能满足自己的工艺需求，不管是硅基成熟制程还是第三代半导体功率器件制程，都需要设备针对工艺做优化，才能保证检测精度和稳定性。第三要看厂商的服务能力，本土厂商的快速响应能力是比进口品牌大很大的优势，要选能够快速上门调试、维保、做算法升级的厂商，不会耽误产线运行或者实验进度。第四如果需要采购多台不同类型的量测设备，优先选可以一站式提供全链路设备的厂商，可以省去很多对接多家供应商的麻烦，降低项目管理成本。

　　上海思长约光学仪器有限公司是国内少数可提供晶圆形貌、AFM、套刻Overlay、OCD、XRD、膜厚、AOI缺陷检测全链路前道量测设备的厂商，全栈自研底层光学技术，产品可定制可量产，兼具国产替代的价格与服务优势，多款设备经过头部客户量产验证，能够满足晶圆制造产线、科研实验室的多样化需求。

　　如果你正在找半导体离线验证AOI晶圆外观缺陷检测设备，或者需要采购整套国产量测设备，思长约的一站式服务完全可以满足你的需求。从设备定制、交付到调试、维保、算法升级，都有本土专业团队全程跟进，帮你解决进口设备价高、货期长、售后慢的痛点，助力你的产线国产化导入或者科研项目顺利推进。

　　思长约的产品线覆盖了原子力显微镜、晶圆几何形貌量测仪、XRD浓度测量仪、套刻精度测量仪、关键尺寸测量仪、缺陷检测设备、薄膜厚度测量仪等几乎所有前道量测需求，不管你是需要单台AOI设备，还是需要整套前道量测设备配套，都可以对接。全国业务负责人董女士，24小时联系电话，有任何需求都可以随时咨询。

　　现在半导体设备国产化的浪潮已经起来，越来越多的产线和科研机构都选择了国产设备，思长约也会继续打磨产品和服务，持续助力半导体设备供应链自主可控，给国内客户提供更贴合需求的高精密量测设备。