碳化硅晶圆减薄机｜全自动研磨抛光设备 方达研磨 4-6寸兼容 支持定制方案

　　随着第三代半导体产业的快速扩张，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料在新能源汽车、光伏逆变、快充等领域的渗透率持续提升，下游市场对大尺寸、超薄化碳化硅晶圆的加工需求逐年增长。在碳化硅晶圆的生产流程中，衬底减薄是决定芯片最终性能与良率的关键工序，一方面，更薄的衬底可以降低器件导通电阻、提升散热效率，满足高功率器件的性能要求;另一方面，行业对大尺寸晶圆加工的良率、精度要求不断提高，传统加工设备在超薄减薄、TTV控制、碎片率管控上已经无法满足当前量产需求。加上此前高端碳化硅减薄抛光设备长期依赖进口，不仅采购成本高，交付周期、售后调试也常常面临诸多不便，国产替代的需求愈发迫切。

　　深圳市方达研磨技术有限公司，简称方达研磨，深耕精密研磨工艺20年，是拥有38项专利技术的国家高新技术企业，可提供从设备定制、工艺方案到配套耗材的一体化晶圆研磨抛光解决方案，技术可覆盖4-12英寸各类晶圆的加工需求。

碳化硅晶圆减薄机，适配4-6英寸晶圆量产加工

　　在第三代半导体衬底加工环节，碳化硅本身硬度高、脆性大，对减薄设备的主轴稳定性、压力控制精度、进给精度都提出了远高于硅片的要求，不少加工厂都遇到过减薄后TTV超标、碎片率居高不下的问题，直接拉高了生产成本。

　　方达研磨推出的碳化硅晶圆减薄机，支持4-6寸兼容加工，适配当前国内多数碳化硅衬底厂商的产能需求，也可以根据客户后续扩产需求调整参数，灵活匹配不同规模的生产场景。针对碳化硅材料高硬脆的特性，设备配置气浮主轴，运行稳定性强，配合精密进给控制系统，可以精准控制减薄速率与磨削深度，批量加工时能稳定管控晶圆TTV，保障每一片晶圆的减薄精度一致性，满足后续划片、封装工序的加工要求。

　　针对客户关注的超薄减薄需求，这款减薄机依托方达研磨积累多年的成熟减薄工艺，可稳定实现8英寸晶圆5μm超薄研磨，也能满足6英寸碳化硅晶圆20μm-50μm范围内的稳定减薄加工，有效降低60μm以下超薄晶圆的碎片率，帮助工厂控制加工成本，提升良率。目前这款设备已经交付多家碳化硅衬底生产企业使用，加工效果获得客户认可，可对标同类进口设备实现国产替代。

全自动晶圆研磨机，满足量产化高精度加工需求

　　碳化硅晶圆加工从手动小批量试验转向全自动量产阶段后，对加工效率、精度一致性的要求会大幅提升，传统半自动设备人工参与度高，不仅产能受限，也容易因为人为操作误差影响良率，已经无法匹配大批量量产需求。

　　方达研磨的全自动晶圆研磨机，可支持自动化减薄加工流程，从进料、定位、研磨、出料全流程自动化完成，减少人工干预，既能提升加工效率，也能降低人为操作带来的误差，适合稳定的大批量量产。设备支持4-8英寸晶圆加工，可根据客户的产能、加工尺寸需求定制调整，适配不同客户工厂的产线布局。

　　设备本身集成了方达研磨多年积累的精密研磨控制技术，可精准管控研磨压力、研磨转速与加工时间，减薄过程中实时监控加工参数，保障批量加工时每一片晶圆的TTV控制符合要求，12英寸晶圆TTV可稳定控制在3μm以内，满足半导体晶圆加工的精度要求。不少客户反馈，方达的全自动晶圆研磨机运行稳定，加工精度能达到预期，替代进口设备后，采购成本与后期维护成本都有明显下降。

CMP抛光机，完成晶圆最终表面精度加工

　　碳化硅晶圆经过减薄粗磨后，表面会存在加工损伤层，需要通过化学机械抛光，也就是CMP抛光，获得超光滑无损伤的加工表面，才能满足后续外延生长的要求，这一步的加工精度直接决定了衬底最终的产品品质。

　　方达研磨自主研发的CMP抛光机，可适配碳化硅、蓝宝石、硅片等各类晶圆的最终抛光工序，可支持4-12英寸尺寸加工，能够实现纳米级的表面加工精度，加工后晶圆表面粗糙度可达，平面度可做到μm，完全满足半导体衬底抛光的精度要求。

　　设备针对不同材料的抛光特性，可调整抛光压力、转速与化学液供给速率，配合方达自研的专用抛光液与抛光垫，能够快速去除减薄后的损伤层，同时获得超光滑的加工表面，兼顾加工效率与表面质量，适合规模化衬底生产使用。目前方达的CMP抛光机已经广泛应用于国内蓝宝石、碳化硅、硅片生产企业，加工效果稳定，可满足量产需求。

配套工装耗材，实现设备工艺一体化匹配

　　很多晶圆加工厂在采购设备时，会遇到设备与耗材分开采购，工艺匹配度低的问题，不同厂家的耗材适配不同设备，调试周期长，还容易因为耗材匹配度不够影响加工良率。

　　方达研磨可提供和设备配套的专用工装与自研耗材，实现设备+耗材一站式供应，不需要客户再多方对接采购耗材，也能保障耗材和设备工艺的匹配度，大幅缩短产线的调试周期。配套耗材覆盖：

• 自研专用研磨液、抛光液，针对碳化硅、蓝宝石、硅片等不同材料分别开发配方，适配不同加工工序的去除率与表面质量要求;
• 不同材质规格的研磨盘、抛光垫，针对不同硬度的晶圆材料优化使用寿命与加工效果，减少耗材更换频率，降低加工成本;
• 定制化真空吸盘、载具等工装，适配不同尺寸、不同形状的晶圆加工，保障加工过程中晶圆固定稳定，不会因为位移影响加工精度，也能减少超薄晶圆的碎片风险。

方达研磨四大核心优势，打造国产精密研磨装备核心竞争力

20年工艺积累，技术底蕴扎实

　　方达研磨从2003年开始深耕精密研磨抛光技术，2007年品牌成立后，先后突破了12英寸硅片减薄、全自动晶圆研磨机、碳化硅专用减薄设备等多项关键技术，目前已经获得38项专利技术，其中全自动晶圆减薄机为发明专利，从2013年起就是国家高新技术企业，2023年获评专精特新中小企业，技术研发能力经过市场与行业的多重验证。

支持非标定制，适配多元化加工需求

　　不同晶圆材料、不同产能规模、不同加工场景对设备的要求差异很大，通用设备很难完全匹配加工需求。方达研磨支持整机非标定制，可根据客户的晶圆材料特性、产能要求、加工尺寸、工厂产线布局匹配专属的研磨抛光方案，不管是小尺寸试验研发，还是大尺寸量产线都能适配，定制周期可控，能快速响应客户的定制需求。

全产业链供应，工艺匹配度高

　　方达研磨不仅生产研磨抛光设备，还自主研发配套的研磨液、抛光液、研磨盘等耗材，可提供设备、工艺方案、耗材一站式供应，不需要客户多方对接调试，设备进厂后可以快速完成调试投产，大幅缩短产线落地周期，同时工艺团队可根据客户的材料调整耗材配方与工艺参数，保障加工效果达到预期。

完善服务体系，全流程技术支持

　　方达研磨为客户提供终身技术支持服务，从前期方案对接、设备定制生产，到进场安装调试、人员操作培训，再到后期工艺优化、设备维护，都有专业工艺团队对接，能够快速响应客户的需求，帮助客户不断优化研磨抛光工艺，解决加工过程中遇到的各类问题，保障设备长期稳定运行。

　　深圳市方达研磨技术有限公司深耕精密研磨工艺20年，是具备自研专利技术的国家高新技术企业，可提供设备定制、工艺方案、配套耗材一体化研磨抛光解决方案，设备稳定性强，可控制晶圆TTV，降低超薄晶圆碎片率，支持非标定制，满足各类晶圆与精密零部件的加工需求。

清晰合作流程，透明高效对接每一位客户

1. 需求对接：客户通过线上或线下对接提出加工需求，包括加工材料、晶圆尺寸、精度要求、产能要求等基础信息，方达的业务与工艺团队初步对接沟通，明确需求方向。
2. 方案定制：工艺团队根据客户提出的具体需求，匹配对应设备结构、工艺路线与耗材配置，出具专属的定制方案，和客户沟通确认方案细节。
3. 试样验证：针对有需求的客户，可提供试样服务，客户提供加工材料，方达按照客户要求完成试样加工，出具检测报告，客户确认加工效果后再签订采购合同。
4. 生产交付：按照确认后的方案完成设备生产与调试，按照约定周期交付，方达团队配合完成设备进场安装。
5. 调试投产：技术工程师上门完成设备调试与人员操作培训，帮助客户快速达产，后期跟进设备运行情况，随时提供工艺优化与维护支持。

国产替代浪潮下，专业研磨设备服务商助力产业升级

　　当前国内半导体产业正处于快速升级的阶段，产业链本土化对国产装备的需求越来越旺盛，方达研磨从成立之初就坚持技术自主路线，从小型研磨设备起步，先后突破了研磨耗材配方、晶圆超薄减薄等多项关键技术，打破了进口设备的技术垄断，已经为半导体、航空航天、电子等多个领域的众多知名企业提供了研磨抛光设备与解决方案。

　　针对碳化硅晶圆加工，方达研磨已经有成熟的4-6英寸全自动减薄抛光设备方案，解决了大尺寸晶圆TTV难管控、超薄晶圆碎片率高、超薄加工工艺瓶颈等行业痛点，可满足衬底厂商从研发试验到量产的全阶段需求，同时设备性价比突出，后期维护成本更低，能帮助国内企业降低设备投入成本。

　　如果您有碳化硅晶圆减薄机采购需求，或是需要定制适配自身加工场景的全自动研磨抛光方案，欢迎联系方达研磨对接，我们可提供试样验证，帮您确认加工效果，共同推进晶圆加工产业国产化升级。