长江存储器项目进展： 嘉鱼长江大桥的项目进度

据湖北日报2月24日报道，昨日上午，武汉城市圈环线高速公路重要控制性工程嘉鱼长江大桥正式开工，为隔江相望的江汉平原与幕阜山区增添一条绚丽纽带。 该项目起点位于长江北岸的洪湖市燕窝镇，终点定在长江南岸的嘉鱼县新街镇，连接武汉城市圈环线高...展开全部

其他答案:嘉鱼长江大桥选址已确定在新街镇罗家洲，嘉鱼境内投资达到40亿元 嘉鱼县位于湖北省东南部，长江中游南岸，临近武汉、荆州，地理位置优越。全县国土面积1017平方公里，人口万人。新街镇是嘉鱼县中心重镇，工农业均较发达，新街镇与洪湖市隔江相望，历年来都是靠渡船作为交通往来，既不方便也不安全。随着嘉鱼加入武汉城市圈，在新街镇建一座武汉城市圈外环高速公路长江大桥，打通江南江北的交通天堑显得尤为重要。 二.建设规模及主要建设内容 新街长江大桥位于嘉鱼县新街镇王家月附近，全长3000米。 三.总投资及资金来源 本项目总投资400000万元，由国家投资完成。 四、项目进展情况及进度安排 本项目预计2011年开工，2012年12月完工。 五、项目负责人更多资料请参考： <a href="

长江存储器项目进展： 长江三峡的工程进展-百度知道

展开全部 简介 中国长江上游瞿塘峡、巫峡和西陵峡的合称，简称三峡。西起四川省奉节县白帝城，东至湖北省宜昌县南津关，长204公里。自白帝城至黛溪称瞿塘峡，巫山至巴东官渡口称巫峡，秭归的香溪至南津关称西陵峡。两岸山峰海拔1,000～1,500公尺，...展开全部

长江存储器项目进展： 【我国花巨资开发长江三峡工程的主要目的是什么？】作业帮

水调歌头·游泳》 ——毛泽东 才饮长沙水，又食武昌鱼.万里长江横渡，极目楚天舒.不管风吹浪打，胜似闲庭信步.今日得宽馀，子在川上曰：逝者如斯夫！风樯动，龟蛇静，起宏图.一桥飞架南北，天堑变通途.更立西江石璧，截断巫山云雨，高峡出平湖.神女...

长江存储器项目进展： 长江存储-质量工程师,发展前景怎么样呢？-百度知道

现在行业比较多人关注，那其实已经处于一个较高的点，那就容易遇到瓶颈。但是大多数行业还不算到了瓶颈期，特别是比较基础的行业，类似服务业，吃的、医药等，有需求的行业，不管怎么变迁，都是有市场的。现在很多从业者确实也感觉到吃力了，其实所...展开全部

长江存储器项目进展：长江存储3D NAND颗粒，落户紫光安全U盘，你怎么看？

基于我国国情考虑，指纹加密的国产自主颗粒优盘是非常有必要的。从颗粒生产到指纹加密算法的设计，再到产品设计整合生产，一系列流程全部国产化。所生产的产品，国家领导层绝对放心，进而大批量采购，弃用进口产品，所带来的明性收益和暗性收益都是巨大的。由此引发的国家关注能给产品的迭代，技术的革新带来良性的影响！

长江存储器项目进展：如何评价长江存储的Xtacking堆栈3D闪存？

今年的智能手机存储容量越来越大，6+128GB几乎是主流配置了，但在存储D芯片中国依然依赖进口，2017年国内进口了价值897亿美元的存储芯片，而全球存储芯片的产值也不过1300多亿元。现在国内已经有三大集团投入存储芯片研发、生产中，其中紫光集团旗下的长江存储公司目前主攻NAND闪存，在上周的FMS 2018国际闪存会议上，长江存储CEO杨士宁也发表了主题演讲，介绍了他们研发多年的3D NAND闪存堆栈结构Xtacking，并获得了“最佳展示奖”（Best of Show）。

与国外的NAND闪存技术相比，国内无疑是落后的，目前长江存储展示的3D NAND闪存虽然还是32层堆栈的，明年才会量产64层堆栈的，而FMS上三星、美光、东芝等公司宣布今年推96层的3D NAND，但长江存储研发的3D NAND闪存技术起点并不低，Xtacking展示的技术路线跟东芝、SK Hynix展示的路线相近，都在探讨下一代3D NAND的堆栈结构了。

日本PC Watch网站日前刊发了长江存储CEO杨士宁博士在FMS会议上的演讲，我们之前也做过简单的报道，这次他们的介绍更加详细，我们可以一窥长江存储的3D NAND闪存现在到底进行到那一步了。

杨士宁博士的演讲题目

关于长江存储，官网资料如下：

长江存储科技有限责任公司（长江存储）是一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业。长江存储为全球客户提供先进的存储产品和解决方案，广泛应用在移动通信，计算机，数据中心和消费电子等领域。

长江存储由紫光集团，国家集成电路产业投资基金，湖北地方集成电路基金，湖北科投联合投资240亿美元，于2016年7月正式成立。长江存储是紫光集团从“芯”到“云”生态产业链不可或缺的重要组成部分 。

秉承对存储技术的专注和创新精神，长江存储现已在武汉，北京，上海，硅谷均设有研发基地。长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片，填补了国内空白，并力争成为世界一流的3D NAND闪存产品供应商。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，核心厂区占地面积约1717亩，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，2023年年产值达1000亿人民币。

长江存储有10多年的存储芯片研发经验

长江存储的前身是武汉新芯科技，他们是国内主要的存储芯片研发、生产公司，2006年就开始建设厂商，2008年首款晶圆流片，2010年推出了65nm工艺的NOR闪存，2012年推出了45nm工艺的NOR闪存，还生产BSI背照式CIS图像传感器。

2014年新芯科技开始研发NAND闪存，2015年完成了9层堆栈的NAND芯片验证，2016年推出了32层堆栈的测试芯片，2017年开始32层堆栈3D NAND的验证，今年完成了32层堆栈64Gb核心容量的3D NAND闪存的ES样品测试，下一步就是64层堆栈3D NAND闪存了，这个计划明年量产。

研发3D NAND的过程中，长江存储投入了10亿美元资金及1000多名工程师，累积了500多项IP产权。

长江存储的厂房建设

这两年中除了技术研发，长江存储主要的精力还是投资240亿美元建设最大的3D NAND生产车间，截至今年7月份厂房的建设工作基本完毕了，今年底开始量产。

在这次的FMS会议上，长江存储展示了名为Xtacking的3D NAND堆栈结构，相比传统闪存它至少具备三大优势。首先是极高的I/O速度，之前长江存储的官方新闻就提到了Xtacking堆栈的I/O速度堪比DDR4内存，具体来说就是Xtacking的I/O速度可达3Gbps，这个性能确实能达到DDR4内存的水平，而目前的Toggle/oNFI接口闪存I/O接口速度普遍在1Gbps左右，不超过。

原文没提到的是，长江存储强调他们的Xtacking堆栈可以做到3Gbps的接口速度，但是实际使用多高频率的速度要看市场需求及客户要求。

长江存储Xtacking堆栈技术的第二个优点是可以减少芯片面积，看上图所示，传统64层堆栈3D NAND闪存的外围芯片跟NAND Cell单元是比列的，这会占用额外的芯片面积，Xtacking结构将外围芯片变成了垂直排列，减少了面积占用。

根据长江存储所说，传统3D NAND闪存中，外围芯片占用的面积约为30-40%，随着堆栈层数提升到128层或者更高，外围芯片占据的面积比例可能达到50%以上，而Xtacking结构闪存可以实现比传统NAND闪存更高的密度。

Xtacking结构闪存第三个优点是开发衍生品更容易，官方所说的是Xtacking实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。

这里是长江存储Xtacking结构的电子显微镜剖面图。

原文最后一点提到了长江存储Xtacking闪存的产能及可靠性，随着时间的推移，SLC类型的良率会不断提升。此外，在P/E寿命方面，长江存储演示的MLC类型的闪存，P/E次数超过了3000次。

长江存储的长江存储Xtacking获得了最佳展示奖

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长江存储器项目进展：长江存储的3D NAND FLASH量产了吗？

虽然赵伟国昨日刚刚辞去清华紫光集团旗下紫光控股与紫光国芯两家子公司董事长及董事职务，但是他仍然是紫光集团董事长。今日（4月9日）赵伟国公开亮相于中国深圳召开的第6届中国电子信息博览会（CITE2018），并在会上做了主题为《从芯到云 打造IT重科技产业》的演讲。

在演讲当中，赵伟国介绍了紫光在存储器的布局方面。赵伟国表示，武汉新芯已经投资了800亿，在技术创新、模式探索等自主研发上。未来将在这个基础上，再透过相关资源的整合，以在南京、成都分别投资人民币500亿元再复制2个武汉新芯，以建立完整的存储器产业生态圈。

众所周知，目前全球主要的3D NAND Flash 大厂，包括三星、SK 海力士、东芝、美光等，都已经量产了64层堆叠的3D NAND Flash，不少已经开始更高的72层、96层128层堆叠的3D NAND Flash上取得了进展，而现在紫光的32层3D NAND Flash还没量产，这也使得外界质疑紫光集团过往在存储器发展的投资上，其结果似乎不如预期。

对此，赵伟国强调，紫光集团旗下的长江存储32层64G 3D NAND Flash存储器将会在2018年达成小规模量产的目标，2019年64层128G 3DNAND Flash储器则将会进入规模研发的阶段。

在展会现场紫光展台上，紫光就展示了由长江存储生产的国内第一颗具有自主知识产权的32层64G 3D NAND Flash芯片。

此外，赵伟国还预计在未来2年内，或许就可以看到采用中国国产NAND Flash存储器的智能手机问市。

作者：芯智讯-浪客剑