「pcm项目」 PCM主要有哪些工作方式？ 爱问知识人

pcm项目： PCM主要有哪些工作方式？ 爱问知识人

PCM主要有三种方式：标准PCM、差分脉冲编码调制（DPCM）和自适应DPCM

pcm项目： PCM线路顺序-百度知道

展开全部 PCM在光纤通信系统中，光纤中传输的是二进制光脉冲＂0＂码和＂1＂码，它由二进制数字信号对光源进行通断调制而产生。而数字信号是对连续变化的模拟信号进行抽样、量化和编码产生的，称为PCM(pulse code modulation)，即脉冲编码调制。这种...展开全部

pcm项目： 力利记旗下 宁波时代全芯PCM技术项目 怎样？

这个项目我听过他们的录演，大概有以下几点，您自己去体会。1. 芯片领域，是唯一一家私企身份得到国家开发银行发放的专项基金项目。2. 项目芯片PCM技术100%企业化。3. 项目从选址建厂后，到2016年已经6年时间。4. 渡过了最危险的初创期，得到了国家...展开全部

其他答案:我不会~~~但还是要微笑~~~：）

pcm项目： pcm数据和wafer测试有什么关系

1。PCM测试和具体产品有关，不同产品的PCM测试项目和spec都是不同的，简单的如电容可能只有电容和漏电两个PCM项目，但是三极管就比较多了。。。。2。没有直接关系，但Cp有问题时常会根据PCM参数来判断INLINE情况3。这个还要谈判吗？cp低，complaint...

其他答案:没看懂什么意思？

pcm项目：关于相变存储器的一些探讨 | 半导体行业观察

来源：本文由公众号 半导体行业观察 （ID：icbank）翻译自「thememoryguy」，作者Jim Handy&Ron Neale，谢谢。

本文主要探讨对未来商用PCM（相变存储器）阵列中写入/擦除（w / e）耐久性的影响因素。

当今，Intel/Micron公司的生产的3D XPoint存储器，就是以相变存储器为基础的，然而，在目前的技术发展阶段，其使用的耐久性不如预期的好，本文将探讨造成这种差异的原因。

PCM元素分离和耐久性

2016年，由IBM领导的研究团队就实现了PCM w / e次数超过2 x 10E12周期的世界纪录（ALD-based Confined PCM with a Metallic Liner Toward Unlimited Endurance, Proc IEDM 2016）。截至目前，市场上可买到的PCM存储器阵列提供的W / e耐久性与之相比，低了约6个数量级。下表来自于另一篇关于此问题的博客文章。

下图总结了可能是有史以来最详细的分析PCM的关键点。顶行的矩形（黄色）说明了破纪录性能的途径。起点采用特殊的约束（~20nm）对称高纵横比结构，高密度ALD沉积纳米晶GST作为活性材料。

今天，PCM芯片制造商执行特殊的BEOL工艺步骤，以在PCM材料以非晶态沉积之后使其结晶。这有助于使位操作更加一致——如果没有这一步，第一个阈值切换操作可能与后面的非常不同。以类似的方式，该结晶确保第一个RESET导致非晶态，其类似于所有后续的RESET。

因此，高密度纳米晶GST结构是很重要的，这是因为它不允许在沉积期间显着形成纳米空隙，否则其在存储器切换过程中是可移动的，并且最终在阳极处聚结导致开路装置故障。

另外，还有一个关键点同样重要，那就是使用衬有高阻导电材料的锥形孔结构。

IBM的实验程序和基本结果在上图中有简要描述，详细的TEM分析和EDX光谱分析提供了熔融和结晶GST中变化和不同相关驱动力的独特视图。

令人惊讶的是，锑（Sb）的运动可能是最严重的，因为它的运动创造了允许形成空隙的条件，这会导致设备故障。当然，此外还有另一条形成空洞的路径：

空位→移动纳米空隙→空洞聚结→设备故障

可见，ALD纳米结晶使后者最小化了。

然而，即使由于空隙的出现而发生故障也无妨，只要直径足够大就可以使通过PCM材料的路径开路。孔的高电阻导电衬垫允许反向电流脉冲通过，从而使器件愈合。该结果加上成分变化和元素分离的细节得出结论，双极操作可能是获得比上图中所示的2×10 ^ 12个生命周期更长的寿命或耐久性的途径。

下面，我们将详细探讨PCM及其堆叠存储器阵列中的元素分离的不同驱动力与阈值开关的关系。然后，将继续讨论双极操作，阈值开关可靠性的影响，以及解决商用PCM存储器阵列的计算w / e耐久性与所展示的可能性之间的差异。

更完整的元素分离视图

基于上文的总结，下一个步骤是尝试汇总一下相变存储材料在不同位置、不同元素的存储器单元内移动复杂性的所有细节，其在IBM /耶鲁的工作中已经披露。双极操作将成为延长PCM耐久性的手段。

在下图中，中心区域提供了独特PCM设备结构的图示：高纵横比锥形单元，内衬金属导体。两态存储器切换区域（红色）大致位于锥形的中心。这意味着，当结晶时，GST活性材料充当伪顶部和底部电极。

两个侧板（a）和（c）示出了在（a）存储器RESET期间的熔融GST和（c）结晶状态下作为驱动剂的不同作用力。据报道，在熔融状态下，以任何方式移动的两种元素是碲（Te）和锑（Sb），碲成为负电荷阴离子并向阳极移动，而带正电的锑（Sb）变成朝向阴极移动的阳离子。两者都受到静电力的驱动。

由于结构的独特性，还可以观察在高电流RESET脉冲期间，晶体GST中发生的情况。金属中的高电流密度电子风驱动的电迁移通常将材料推向阳极; 对于P型材料而言，情况似乎是相反的，并且在GST中，锑（Sb）和碲（Te）被推向阴极。

可见，更多的锑将在阴极处完成，事实证明是这样的。问题在于靠近阳极的锑的损失会形成可移动的纳米空隙并最终进入阳极，它们在那里聚结，使得存储装置出现开路故障，从而结束其寿命。

下图取自一套研究中的综合设备图像中的一个视图，其总结了破坏性空隙的形成和与之相对应的元素分离的终点。

IBM /耶鲁小组报告说，元素的大部分运动在几个开关周期内非常快速地发生，从而产生伪电极和开关区域的稳定操作位置，这被描述为“成形”过程。似乎在w / e寿命的后期阶段中的长期失效 - 关键问题在于违规元素的渐近运动，这发生在较早的快速移动之后，并且伴随着纳米空隙向聚结终点的较慢移动。

可见，短脉冲、反向脉冲可以修复开路PCM器件，依靠“孔”的金属衬垫来承载一些电流。因此可以得出结论，双极操作可以成为实现最长耐久性的途径。

我认为，设计PCM存储器阵列，在它们遭受空洞故障时修复单元是很麻烦的，但是如果它解决了耐久性问题，那么从一开始双极操作就是正确的。

因为，如所报道的那样，元素分离的主要部分非常快地发生，那么可以预期在一个方向上的任何小的移动，在相反方向的后续脉冲期间将被反转。纳米空隙永远不会到达阳极并聚结。当单元按比例缩小以降低成本时，第二个好处是通过径向扩散的元素分离问题就迎刃而解了。

一切表明，双极操作允许放弃对ALD高密度纳米晶GST的需求，这是个重要的起点。

进一步的考虑是PCM SET / RESET脉冲在时间和幅度上是不对称的：SET脉冲较长，并且具有较低的电流，还有后沿，而RESET脉冲是短的高电流脉冲。

因此，向双极PCM操作的转变可能需要一些权衡，以平衡电流密度的差异，以及两个脉冲之间的元素分离和移动的速率。而另外一些新兴存储器技术则利用对称写/擦除脉冲。

下面，我们将进一步分析前文讨论的元素分离的复杂“图像”如何适用于阈值开关，即PCM位元素在堆叠存储器阵列中的“伙伴”，并将继续探讨这项研究对商用设备的可能影响。

阈值开关的故障模式

虽然阈值开关不是IBM / Yale工作的一部分，但PCM的双极操作调用的实现意味着需要一个阈值开关，其持久性与存储器中与之关联的存储器阵列的耐久性具有很强的相关性。

如果该研究的PCM发现可以应用于今天商用PCM阵列中使用的掺砷GST阈值开关，则阈值开关可能就是导致商用PCM存储器阵列耐久性差的薄弱环节。

我们必须解决的一个难题：应考虑用下图所示的阈值开关中的哪个版本？是切换时涉及热点和熔融的那些，还是声称是纯电子固态切换的那些？对于后者，很难理解在没有热点或filaments的情况下，如何能够观察到“S”型负电阻特性。

无论如何，首先看一下“全固态”的例子。该模型假设阈值开关位于堆叠阵列中的存储位之上或之下，传导RESET电流，其熔化位单元材料，而自身不会熔化。

现在，GST是一种“p”型材料。为了便于讨论，我们假设掺杂砷的GST也是“p”型材料（在这种情况下，掺杂砷用于提高结晶温度）。这将意味着，作为固体热材料，它将受到电迁移的作用，如下面图b和c所示。如前文所述，锑（Sb）和碲（Te）将向阴极移动并在那里聚集。

同时，所有纳米空隙将稳定地移动到阳极，导致寿命终止聚结。

那么，纳米空隙来自哪里呢？对于阈值开关，材料是并且必须以其非晶态沉积。如前文所述，空隙问题与源自晶态的问题密切相关，需要ALD沉积。然而，还有另一种形成纳米空隙的途径，这些空隙从Te空位开始它们的生命旅程，这些空位自身聚合成纳米空隙，从而继续导致器件失效。

在像掺杂砷得GST这样的非晶材料中，可以预期会有大量的Te空位存在，因此，由单极脉冲驱动的阈值开关可能会像“聚结空隙”类型的失效一样受到影响。PCM在IBM /耶鲁大学的项目中做过研究。而反对者则需要解释为什么不。

另一个考虑因素是Sb积聚和阴极组成变化的后果，这可能导致形成具有较低结晶温度或较低阈值转换电压，或两者兼而有之的“玻璃”。其中任何一个都可能导致邻近存储器单元故障。

那些想要加入“热点和熔断阈值开关俱乐部”的人会期望，在熔化过程中，任何元素分离都将由静电驱动，其中Te移动到阳极，Sb移向阴极。如果只是局部熔化，则会出现前面描述的更复杂的PCM混合效果图像。

那么，阈值开关的耐久性是否也是商用PCM阵列的问题呢？我想，只有英特尔可以回答这个问题。而来自商用PCM阵列供应商的消息有好有坏。另外，除了PCM，还有一些其他新兴存储器技术。相关内容，我们还会有相关文章详细阐述。

pcm项目：电力光通讯设备调试方案

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pcm项目：PCM（相变存储器）的发展前景如何？

微系统所十几年坚持下一代存储器研发，基础研发与企业联合并进

未来存储器有望实现“弯道超车”

文章来源：文汇报 许琦敏 发布时间：2017-06-30 【字号： 小 中 大 】

　　手机App上轻轻一按，装载有国产控制芯片的打印机里就吐出需要打印的照片，速度之快，让苹果的airprint也自叹不如。这其中的奥妙就在于芯片上使用了下一代存储器PCRAM。

　　近日，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，由该所宋志棠研究员课题组倾注十几年心血，从基础研究做到产业化的PCRAM，如今已集成在芯片上售出1500万片，实现销售额超过亿元。他们与中芯国际等企业，共同推进产业化，有望在每年市场价值几十亿美元的嵌入式芯片存储器领域实现“弯道超车”。

　挑战下一代存储器产业化

　　大到数据中心，小到一个小小芯片，都离不开动态内存(DRAM)。现在通用的DRAM有一个致命的缺点，那就是怕断电——一旦断电，在内存中的数据就会瞬间消失，再也找不回来。虽然也有可以随时保存数据的闪存(FLASH)，可数据擦写、读取都很慢。所以，尽管这些存储器在各种地方广泛使用，科学家总希望找到一种更完美的下一代存储器。

　　相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器：它通过电流和磁场的开关，让存储材料在晶体和非晶体间切换。由于改变的是材料的物理状态，所以即使断电，这种状态也不会消失，同时还可以实现很快的擦写速度。

　　早在2002年，宋志棠就开始关注这个方向。“现在的主流存储器，也曾经过惨烈的技术竞争，当时中国并没有什么核心技术，基本被排斥在这个市场之外。”他说，在下一代存储器的几种技术中，PCRAM是最接近产业化的，“如果我们可以有所突破，将可能在下一代存储器领域实现‘弯道超车’，发展自主知识产权。”

从适合现有科研水平的市场入手

　　“如果再来一次，估计我不会一头扎进去，太难了！”宋志棠说，在研究所的支持下，他的课题组从2003年开始不断寻找适合做PCRAM的材料，材料找到了，却无法做成纳米级器件——如果做不出，什么实用价值都没有。可研究所没有做器件的条件，怎么办？

　　一次偶然的机会，他找到了中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，双方一拍即合，共同组建团队，申请国家项目，搭建起8至12英寸PCRAM研发平台，并于2007年1月建立了“纳米半导体存储技术联合实验室”。

　　微系统侧重解决科学问题，中芯国际主攻工艺开发，经过14年努力，终于实现相变材料制备工艺和中芯国际180纳米-28纳米标准CMOS工艺无缝对接。

　　为了契合中芯国际的技术优势，微系统所定下了一条PCRAM的产业化路线：避开英特尔、三星等已在大力投入和布局的非嵌入式芯片领域，专攻在大量消费类电子产品使用的嵌入式芯片。“手机等消费类电子产品，我国本就是制造大国，产业、产品升级都会对嵌入式芯片提出大量需求。”宋志棠说，尽管这块市场没有非嵌入式芯片存储器的市场大，但更适合中国现有的科研和技术水平。

　　做成器件，还得能应用，才能实现产业化。这时，珠海埃派克科技股份有限公司通过科技新闻报道找到了宋志棠。从2011年起，该公司几乎年年投入上亿元研发经费，为企业未来的技术优势投资。

　　“高校可以做一千片芯片，拿最好的一颗来发论文，但企业却要找出最差的那颗来改进技术。”丁励说，最新研发的打印机芯片，如今已售出1500万片，4个月来用户反映出错率低于千分之一。

　基础研究不断获得领先优势

　　微系统所PCRAM项目组研究员陈后鹏解释，现用存储器的数据读取方法，就好像从一个图书馆里取资料，硬盘、固化内存等就像书库，DRAM就好比阅览区——必须把数据从书库里找到，提取到阅览区，才能计算、操作，最后根据需要存储下来。但PCRAM却好像超级大黑板，所有数据都能直接找到并操作，省去了数据“搬运”过程，运算速度直线上升。

　　“我们测试了100兆的数据搜索，用PCRAM只需1秒，比传统存储器快了19倍。”陈后鹏说，100兆的数据量相当于一部《二十五史》的信息量。

　　目前，宋志棠团队是世界上唯一掌握嵌入式芯片PCRAM核心技术的。不过，存储器技术更迭向来风云变幻。要寻找功耗更低、速度更快的相变存储器材料，还得依靠基础研究的不断突破。

　　如今，宋志棠团队已在实验室找到了性能更好的材料，正在进行性能测试。“2011年，我们的8兆芯片就实现了全部存储功能，当时录下的音频，现在还能清晰播放。”宋志棠说，那还是180纳米芯片的技术，现在他们正在主攻40纳米芯片的存储器，这是国家集成电路科技重大专项的主要任务。

　　初步打通“原始创新—技术开发—产业化”链条的全部关键环节，在产学研紧密配合的模式下，国产PCRAM技术将为我国的半导体行业带来新发展契机。

　　（原载于《文汇报》

pcm项目：PCM系统是什么？

　天然气与管道ERP工程建设管理子系统，简称PCM系统。PCM系统试点涵盖了成品油管道、天然气管道、LNG和储备库等工程建设项目。PCM系统加强了工程建设的过程管理，完成了建设期间的相关数据采集工作，取得了良好效果。今后，非改造类的大型工程建设项目都将应用PCM系统。

pcm项目：PCM主要运用于什么方面？

常用的调制方式，除了振幅调制(调幅)、频率调制(调频)外，还有编码脉冲调制(脉码调制)，它的英文缩写为PCM。它是美国物理学家里布斯于1937年提出的，现已广泛应用于电话、电视的传输。这一概念的提出，还为数字通信奠定了基础，在计算机终端之间进行数字信息交换时，脉码调制是一种非常有效的手段。

pcm项目：PCM是什么材料？

PCM彩板即连续辊涂彩色钢板，其色彩鲜艳，不仅具有良好的成型加工性、漆膜耐腐蚀性和柔韧性，又具有良好的经济效益，满足社会经济、环保发展的要求。根据ECCA（欧洲卷涂协会）数据统计，PCM彩板在生产效率、周转储存、环保效应、外观效果方面均优于传统的喷粉板材，其综合成本仅相当于喷粉板材的90%左右，因此，在欧美地区家电外装饰材料几乎都采用该类彩板；目前在国内，以海尔集团为代表，喷粉板材正逐渐被彩板所取代。　　在传统PCM彩板的基础上，海尔彩板公司通过整合全球资源，研制开发出导电PCM彩板及辊涂工艺的砂面PCM彩板，成为国内唯一的砂面PCM彩板的生产基地。产品不仅符合欧盟的ROHS环保标准，且经国家科委、经贸委鉴定，产品性能品质均已达到国际领先水平。　　彩色予涂钢板PCM,将传统的喷涂涂装变成钢板的连续涂布，便于表面处理及涂布质量的控制，又不存在涂装易产生的棱边死角等缺陷；而且采用无铬处理液进行辊涂式化学处理后直接干燥，无传统浸涂式化学处理对环境的污染和破坏，满足环保要求。　　产品特点：　　彩色予涂钢板PCM板材色彩鲜艳，既具有钢板的强度和良好的成型加工性，又能够满足高速、精密加工设备的要求。而PCM得以高速发展的主要原因，其具有良好的经济效益同时也能满足社会经济、环保发展的要求。